买卖IC网 >> 产品目录 >> ISL9N315AD3ST MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized datasheet RF/IF 和 RFID
型号:

ISL9N315AD3ST

库存数量:可订货
制造商:Fairchild Semiconductor
描述:MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
RoHS:
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
制造商 Fairchild Semiconductor
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 30 V
闸/源击穿电压 +/- 20 V
漏极连续电流 30 A
电阻汲极/源极 RDS(导通) 0.028 Ohms
配置 Single
最大工作温度 + 175 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 TO-252AA
封装 Reel
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  • ISL9N315AD3ST 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价